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我國自主研發(fā)5G微基站射頻芯片流片成功,正在封裝測試

作者:信息發(fā)布員 來源:東莞市華圳電子科技有限公司 時間:2020/4/30 11:34:45

HiNOC2.0是我國下一代有線射頻寬帶廣電接入標準,南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實現600兆每秒的下行速率,完全可與國際巨頭的同類產品對標。

日前,科技日報報道稱我國首個5G微基站射頻芯片YD9601,在南京宇都通訊科技有限公司經過自主研發(fā)流片成功,目前正在進行封裝測試。

5G基站分為宏基站和微基站兩種:

  • 5G宏基站主要用于室外覆蓋,5G微基站主要用于室內,發(fā)射功率較。ㄒ话200毫瓦以內),廣泛用于機場高鐵等候區(qū)域、商業(yè)場所、商業(yè)樓宇、學校醫(yī)院、園區(qū)工廠和社區(qū)家庭等場景;

  • 5G微基站可以以較低成本有效解決室內覆蓋區(qū)域的容量(如機場、高鐵和商業(yè)場等熱點區(qū)域)和覆蓋問題(如商業(yè)樓宇和家庭)。

“5G微基站射頻芯片項目是我們自主研發(fā)的有線射頻寬帶芯片組的拓展!眹姨仄笇<、美國麻省理工學院博士王俊峰介紹說,在推出5G微基站射頻芯片之前,公司通過研發(fā)有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片,擁有了長期的射頻芯片技術積累。

據悉,HiNOC2.0是我國下一代有線射頻寬帶廣電接入標準,南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實現600兆每秒的下行速率,完全可與國際巨頭的同類產品對標。在中國廣播科學研究院進行的標準測試中,搭載這組芯片的設備在85dB的線路衰耗下仍可接入,相比對標的國際巨頭同類產品,抗衰減能力提升了10dB左右,這使其更能適應國內復雜、惡劣的網絡環(huán)境。

據了解,去年4月中國工程院院士倪光南領銜的專家組對的HiiNOC2.0芯片組進行技術鑒定,認定該芯片組在系統(tǒng)性能上達到了國際同類產品的先進水平,而其中射頻芯片部分性能優(yōu)于國際同類產品。

HINOC2.0芯片包括射頻芯片、終端基帶芯片、局端基帶芯片。

其中,YD6901是一款高集成度低功耗的CMOS 射頻收發(fā)芯片。該芯片符合HINOC2.0的規(guī)范,支持700MHz~1.1GHz頻段和128MHz信道帶寬,集成了頻率綜合器,發(fā)射器和高靈敏度接受器等關鍵模塊。發(fā)射器支持高達9dBm的發(fā)射功率,無需外接功放即可滿足千兆接入要求。

YDS6501/YDS6601 是一款高集成低功耗的高速基帶SoC。該芯片符合HINOC2.0 規(guī)范,支持128MHz信道帶寬和高達4096QAM的調制方式,可輕松實現1Gbps的高速接入。芯片集成了TDMA的調度器、高性能的物理層OFDM收發(fā)器、以太網接口等關鍵模塊,并可滿足DBA,802.1q等QoS要求。YDS6501/YDS6601與YD6901配合使用,可支持千兆上網,4K高清視頻傳輸和VoIP等全方位通訊業(yè)務,給用戶帶來完美的體驗。

YD9601不光覆蓋700MHz廣電頻段,也兼容了工信部2月初剛剛頒發(fā)許可的3.3-3.4GHz的電信/聯通/廣電共享室內頻段,可以說是為5G時代室內共享微基站量身定做的芯片。